半導体

静電チャック(ESC)Johnsen-Rahbek型 vs Coulomb型比較 — 再生基準とコスト削減の実例

2026年4月26日 · 1 分で読了

OHI Techの基準に合格した再生ESCは、新品と同等の吸着力・絶縁抵抗・パーティクルスペックを満たします。 セラミックのひび割れやガスホールの詰まりが20%以上でなければ、再生によってコストを大幅に削減できます。OHI TechはLam Research Kiyo・Flex・Versys装置用ESCを数百件供給・再生し、再生判定基準を直接検証しました。

結論: 再生ESCは新品と性能差がありません

OHI Techの基準に合格した再生ESCは、新品と比べて吸着力・絶縁抵抗・パーティクルのいずれも同等のスペックを満たします。新品より大幅に低いコストで交換の負担を軽減できます。

ただし、セラミック表面のひび割れやガスホールの詰まりが20%以上の場合は再生ができず、新品への交換が必要です。

Johnsen-Rahbek型 vs Coulomb型 ひと目で比較

OHI Tech ESC(静電チャック)製品詳細 — 半導体工程 Plasma Etching、CVD、Ion Implantation適用
OHI Tech ESC(静電チャック)製品詳細 — 半導体工程 Plasma Etching、CVD、Ion Implantation適用

項目Johnsen-Rahbek(J-R)型Coulomb型
吸着原理誘電体漏れ電流を利用純粋な静電気力
印加電圧200〜600V1〜2kV
吸着力高い(30〜80 Torr)中程度
脱着速度やや遅い(残留電荷)速い
主な適用Lam Kiyo、Flex、VersysAMAT、TEL一部
セラミック素材AlN、Al₂O₃(半導体特性)Al₂O₃(絶縁体)
Lam Research装置を使用しているファブでは、ほとんどがJ-R型です。300mm高密度プラズマ工程において吸着力が強く、低電圧駆動が可能な点がその理由です。

装置別ESC規格まとめ

装置タイプ直径主な特徴
Lam KiyoJ-R300mm高密度プラズマ、多様なガスホールパターン
Lam FlexJ-R300mm低圧エッチング、RF印加方式
Lam VersysJ-R300mm微細フィーチャーエッチング、高選択比
AMAT CenturaCoulomb200/300mm多層電極構造
TEL TriasJ-R300mm高温工程用AlNベース

OHI Tech ESC再生可否判定基準

OHI Techが実際に再生の可否を判断する際に適用する基準です。

再生可能条件(5項目すべてを満たす場合):

  • 表面粗さ(Ra): 0.8μm以下
  • 絶縁抵抗: 10⁹Ω以上(500V DC印加)
  • 吸着力: 新品規格の80%以上
  • パーティクル発生量: クラス規格以内
  • 表面のひび割れ・チッピング: なし
新品交換が必要な条件:
  • セラミック表面のひび割れまたはスポーリングを確認
  • ガスホールの詰まり20%以上
  • 吸着力が新品の50%未満に低下

再生ESC導入の効果

OHI Techの再生基準に合格したESCは、吸着力・絶縁抵抗・パーティクル基準を新品と同等に満たします。新品と比べて大幅なコスト削減が可能で、具体的な納品事例はお問い合わせ時にご共有いたします。

よくある質問(FAQ)

Q1. 再生ESCの保証期間はどのくらいですか。 保証期間は製品の状態や再生範囲によって異なるため、お問い合わせ時にご案内いたします。再生後は吸着力・絶縁抵抗・パーティクルの性能測定データを含む結果報告書を提供します。

Q2. ESCの再生にはどのくらいの期間がかかりますか。 所要期間は製品の状態や再生範囲によって異なります。受領後の状態診断結果をもとにスケジュールをご案内いたします。

Q3. Kiyo、Flex、Versys以外の装置用ESCも供給可能ですか。 AMAT、TELなど他の装置用ESCも供給可能です。装置モデル名とESCパート番号をお知らせいただければ、新品供給または再生可否をご確認いたします。

ESCの再生可否確認や新品の見積もりが必要でしたら、パート番号と現在の状態の写真をお送りください。OHI Techエンジニアリングチームが迅速に確認いたします。jino.kim@ohitech.co.kr

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