ドライ真空ポンプ

半導体装置部品からEV充電、熱管理、レーザー精密装置まで、信頼できるパートナー企業の高品質な製品を一か所でご覧いただけます

Grand Hitek・通嘉科技 — 韓国公式パートナー OHI Tech

ドライ真空ポンプ

Grand Hitek（通嘉科技、北京通嘉宏瑞科技股份有限公司）は、2012年に中国・北京で設立された真空装置メーカーです。ドライ真空ポンプとシステム統合ソリューションを中心にR&D・生産・サービスを一体で手がけ、独自のPPACS®製品コンセプトのもと、ドライポンプ全ラインアップと精密コア部品を自社開発しています。製品は半導体・太陽光・リチウム電池・ディスプレイ・LED・産業用真空などで幅広く使われ、真空成膜・エッチング・イオン注入といったウェハーレベルのプロセスにも対応します。OHI TechはGrand Hitekの韓国公式パートナーとして、プロセス条件に合ったモデル選定とお見積りをサポートします。

韓国公式パートナーお問い合わせ

Grand Hitek GLR · GMR · GHC · GS — ドライ真空ポンプ

2012: 設立・中国北京
600+: 従業員
60,000㎡+: 総工場面積
220+: 累計登録特許（2015年〜）
30,000+: 累計出荷台数（2024年、半導体2,000+）
15%: 中国本土の半導体シェア（2025年）

対応産業

Grand Hitekのドライ真空ポンプは半導体だけでなく、ディスプレイ・太陽光・リチウムイオン電池・LED・産業用真空にも使われています。

半導体

中国本土シェア15%（2025年）

対応プロセス

MOCVDPECVDLPCVDSACVDALDEtchHDPCoaterEPI

推奨シリーズ

GLR: Load Lock・Transfer・PVD・Coater
GMR: IMP Source・Strip/Ashing・Oxide/Poly Etch・Metal Etch（6・8インチファブ）・HDP
GHC: ALD・PECVD・LPCVD・SACVD・MOCVD・Metal Etch
GHR: MOCVD・Si EPI・SiC EPI・HJT（高流量H₂）

プロセスごとの課題（凝縮・腐食・粉塵・熱反応・可燃性ガス）は下の「プロセス別の推奨シリーズ」表をご覧ください。

プロセス別選定 ↓

ディスプレイ（FPD）

中国国内シェア65%超（2024年）

対応プロセス

PVDPECVDEtchLL/TC蒸着Lami貼合PHOTO

推奨シリーズ

GHC: PECVD SiN・SiON・SiO₂・Metal Etch・Non-Metal Etch — 凝縮・腐食・粉塵・可燃性ガス
GLR: PVD・LL/TC・蒸着・Lami貼合 — 頻繁なポンピング
GLR-P: Coater PHOTO — 凝縮

ディスプレイ用ドライエッチング装置向けのY2O3コーティング・部品精密洗浄・シール（6G・8.5G・10.5G）も提供しています。

太陽光（PV）

太陽電池セルのシェア50%超（2023年）

対応プロセス

結晶引上げPECVDLPCVDALDラミネーション

推奨シリーズ

GS-S: 結晶引上げ — 粉塵
GS: セル PECVD・LPCVD — 粉塵／セル ALD — 熱分解・粉塵
GLR-P: モジュールラミネーション — 凝縮
GHR: HJT（高流量H₂）

GSシリーズはクリーン・一般・過酷プロセスに対応し、信頼性が高く運転コストが非常に低いのが特長です。

リチウムイオン電池

対応プロセス

スラリー混練脱気真空乾燥積層組立注液EOL検査

推奨シリーズ

GLR: GLRの全ラインアップがリチウム電池の生産工程に適用できます。
① 極板製造: 攪拌*・塗工・乾燥・圧延・切断・真空乾燥* — 粉塵・水蒸気・溶剤への耐性
② セル組立: ペアリング・積層・溶接/封止/組立*・注液 — 粉塵・溶剤への耐性
③ 後工程: 化成・脱気*・エージング・EOL検査* — 粉塵・水蒸気・溶剤への耐性

* 真空を使う工程

LED・その他の産業

推奨シリーズ

GLR: FPD・LEDなど幅広い市場で使用
GHR: MOCVDなど高流量H₂プロセス — 半導体・LED・太陽光
GTP分子ポンプ: 光学コーティング・真空炉・真空焼結・環境シミュレーション・科学機器（質量分析・電子顕微鏡・リーク検査）・ITOガラス・液晶パネル

製品は産業用真空分野にも使われています。

分子ポンプ ↓

ドライ真空ポンプ

下のボタンで、産業ごとに使われるシリーズと対応プロセスを確認できます。

5シリーズ

GLR

110 – 4,500 m³/h

クリーン・一般プロセス向けの多段ルーツ式ドライポンプです。信頼性が高く、運転コストが非常に低いのが特長です。

構造: 多段ルーツ
対応プロセス: クリーン · 一般
モデル: GLR120 · GLR500 · GLR2000 · GLR3000 · GLR3500 · GLR5000
GLR-P: GLR-Pシリーズ：GLR3000P・GLR5000（3,380〜4,500 m³/h）
主な産業: 半導体・ディスプレイ・LED・リチウム電池・太陽光

推奨プロセス（半導体）

Load LockTransferPVDCoater

GMR

210 – 1,800 m³/h

クリーン・一般プロセス向けの多段ルーツ式ドライポンプで、主に半導体のエッチング・イオン注入チャンバーで使われます。低消費電力・耐食性・省スペースが特長です。

構造: 多段ルーツ
対応プロセス: クリーン · 一般
モデル: GMR200 · GMR600 · GMR1200 · GMR1800
主な産業: 半導体（エッチング・イオン注入）
仕様オプション: N：ニッケル合金（腐食性プロセス）

推奨プロセス（半導体）

IMP SourceStrip/AshingOxide EtchPoly EtchMetal EtchHDP

GHC

220 – 5,500 m³/h

クリーン・一般・過酷プロセスのすべてに使える新型一体型クロー式ドライポンプです。粉塵処理能力が非常に高く過酷プロセスの第一選択で、運転コストも非常に低く抑えられます。

構造: 一体型クロー
対応プロセス: クリーン · 一般 · 過酷
モデル: GHC200 · GHC500 · GHC600 · GHC1200 · GHC1800 · GHC3000 · GHC5000 · GHC6000
主な産業: 半導体・ディスプレイ
仕様オプション: T：高温・Z：超高温・L：低温

推奨プロセス（半導体）

ALDPECVDLPCVDSACVDMOCVDMetal Etch

GS

1,800 – 5,500 m³/h

クリーン・一般・過酷プロセス向けの新型一体型クロー式ドライポンプです。信頼性が高く、運転コストが非常に低いのが特長です。

構造: 一体型クロー
対応プロセス: クリーン · 一般 · 過酷
モデル: GS1800 · GS1800H · GS2000E · GS2400E · GS3000 · GS3600E · GS4200S · GS5000 · GS6000
主な産業: 太陽光など

推奨プロセス（半導体）

太陽光プロセスなど

GHR

600 – 650 m³/h

高流量水素（H₂）用途向けに開発された多段ルーツ式ドライポンプです。中程度・過酷プロセスに対応し、排気能力が高く信頼性に優れます。

構造: 多段ルーツ
対応プロセス: 中程度 · 過酷 · H₂
モデル: GHR600 · GHR700
主な産業: 半導体・LED・太陽光

推奨プロセス（半導体）

MOCVDSi EPISiC EPIHJT

プロセス別の推奨シリーズ

産業を選ぶと、その分野のプロセス別推奨シリーズが表示されます。

半導体

プロセス	推奨	凝縮	腐食	粉塵	熱反応	可燃性ガス	高流量H₂
Load Lock	GLR
Transfer	GLR
PVD	GLR
Coater	GLR	●
IMP Source	GMR	●
Strip/Ashing	GMR
Oxide Etch	GMR	●
Poly Etch	GMR		●
Metal Etch(6·8")	GMR	●	●
HDP	GMR		●
ALD	GHC	●	●	●	●	●
PECVD	GHC	●	●	●		●
LPCVD	GHC	●	●	●		●
SACVD	GHC	●		●	●	●
MOCVD	GHC	●			●	●
Metal Etch	GHC	●	●
MOCVD	GHR						●
Si EPI	GHR						●
SiC EPI	GHR						●
HJT	GHR						●

● = そのプロセスの主な課題 · Metal EtchへのGMR推奨は6・8インチファブ向けです。

半導体エッチング系プロセスの推奨モデル

プロセス	副生成物・課題	対策	推奨モデル
Oxide Etch	軽・中程度のポリマー	低リスク	GMR600/1200
Poly Etch	中・重度のポリマー、腐食性ガス	温度制御＋ニッケル合金材	GMR600/1200 (N)
Metal Etch	AlCl₃の凝縮	中温運転・凝縮防止	GMR600/1200/1800
HDP-CVD	腐食	低温運転・耐食	GMR1200/1800 (N)
Strip/Ashing	中程度のポリマー	中温運転・凝縮防止	GMR1800
IMP	中程度のポリマー	中温運転・凝縮防止	GMR200

ディスプレイ（FPD）

プロセス	推奨	凝縮	腐食	粉塵	可燃性ガス	頻繁なポンピング
PECVD SiN	GHC	●	●		●
PECVD SiON	GHC	●	●	●	●
PECVD SiO₂	GHC		●	●	●
Metal Etch	GHC	●	●
Non-Metal Etch	GHC		●
PVD	GLR					●
LL/TC	GLR					●
蒸着	GLR					●
Lami貼合	GLR					●
Coater PHOTO	GLR-P	●

● = そのプロセスの主な課題

ディスプレイ用ドライエッチング装置向けのY2O3コーティング・部品精密洗浄・シール（6G・8.5G・10.5G）も提供しています。

太陽光（PV）

プロセス	推奨	凝縮	熱分解	粉塵	高流量H₂
結晶引上げ	GS-S			●
セル PECVD	GS			●
セル ALD	GS		●	●
セル LPCVD	GS			●
モジュールラミネーション	GLR-P	●
HJT	GHR				●

● = そのプロセスの主な課題

GSシリーズはクリーン・一般・過酷プロセスに対応し、信頼性が高く運転コストが非常に低いのが特長です。

リチウムイオン電池

プロセス	推奨	粉塵	水蒸気	溶剤	備考
スラリー混練*	GLR	●	●	●	① 極板製造
真空乾燥*	GLR	●	●	●	① 極板製造
積層	GLR	●		●	② セル組立
組立*	GLR	●		●	② セル組立
注液	GLR	●		●	② セル組立
脱気*	GLR	●	●	●	③ 後工程
EOL検査*	GLR	●	●	●	③ 後工程

● = そのプロセスの主な課題

* 真空を使う工程

LED・その他の産業

用途	推奨	備考
LED	GLR	FPD・LEDなど幅広い市場
MOCVD（高流量H₂）	GHR	半導体・LED・太陽光
エッチング装置・金属成膜・シリコンエピ・PVD・CVD・SiC結晶成長装置	GTP-M	磁気浮上分子ポンプ
太陽光製造・ITOガラス・液晶パネル・環境シミュレーション	GTP-G1400 · G2400	グリース潤滑、任意角度で設置可
汎半導体装置・光学コーティング・硬質コーティング	GTP-G800	グリース潤滑分子ポンプ
光学コーティング・真空炉・真空焼結・環境シミュレーション	GTP-L4400	粉塵を含むガスを排気可能
科学機器・リークディテクター・質量分析・走査電子顕微鏡	GTP-G300	低振動・低騒音
質量分析・微量元素分析・電子顕微鏡	GTP-H80	計測機器用小型ポンプ
リーク検査・環境モニタリング・科学分析	GTP-H80D	スプリットフロー（複数吸気口）

製品は産業用真空分野にも使われています。

真空統合システム

ポンプ・ブースター・排ガス処理装置などを一体化した統合システム（一体機）5種です。

Grand Hitek Mizar integrated vacuum system

Mizar 开阳

メカニカルブースター–メカニカルブースター–ドライポンプ構成の積層型統合ポンプシステム。クリーン・一般・過酷プロセスに使え、信頼性が高く運転コストが低いのが特長です。

Grand Hitek Megrez integrated vacuum system

Megrez 天权

WNやHARP・PE-TEOSなどSiO₂粉塵の多いプロセス向けのプラズマ統合システム。プラズマ発生器と真空ポンプを一体化し、ドライポンプの寿命を安全に延ばします。

Grand Hitek Merak integrated vacuum system

Merak 天璇

真空ポンプやチラーなどをモジュール単位で増減できる2段（デュアルデッキ）マルチポンプシステム。半導体のEtch・PVDなどでフックアップコストとFacility接続点を減らし、設置時間を短縮します。

Grand Hitek Alioth integrated vacuum system

Alioth 玉衡

真空ポンプと排ガス処理（アベートメント）を一体化したマルチポンプシステム。プロセス安全性と運転安定性を高め、TCO・フックアップコスト・設置面積・設置時間を削減します。

フックアップ費用70%↓・Facility接続点85%↓・設置面積20%↓・設置時間80%↓・SEMI S2/S6/F47認証取得

Grand Hitek Phecda integrated vacuum system

Phecda 天玑

Diffusion・EPI・MOCVDなど向けのシングルポンプ統合システム（ドライポンプ＋排ガス処理）。安全・高信頼・安定運転・予知保全・省スペースが特長です。

分子ポンプ（GTPシリーズ）

表示の排気速度はN₂の値です。

磁気浮上分子ポンプ GTP-M

N₂ 1,850 – 4,300 L/s

GTP-M2201 · GTP-M3400 · GTP-M4500

非接触・無摩擦・無潤滑・メンテナンスフリーの磁気軸受と5自由度アクティブ制御により、あらゆる向きに設置できます。エッチング装置、金属成膜、シリコンエピ、PVD、CVD、SiC結晶成長装置などに使われます。

グリース潤滑分子ポンプ GTP-G・L

N₂ 300 – 4,200 L/s

GTP-G300 · G800 · G1400 · G2400 · GTP-L4400

長寿命・省エネ型の分子ポンプ（Gシリーズは任意角度で設置可能）。太陽光、ITOガラス、液晶パネル、光学・硬質コーティング、真空炉、科学機器などに使われます。

計測機器用分子ポンプ GTP-H80・H80D

N₂ 90 L/s

GTP-H80 · GTP-H80D

質量分析計など高級計測機器向けの小型高真空ポンプです。H80Dは複数の吸気口を持つスプリットフロー型で、1台で従来の2〜3台分の役割を果たし、リークディテクターなどに使われます。

分子ポンプ専用電源（IGBTベースのCNC電源）も供給しています。

サービス・部品

韓国での提供範囲はお問い合わせください。

真空ポンプのメンテナンス（O&M）

主要ブランドのドライ真空ポンプの故障診断、オーバーホール・再製造、予防保全、現地サービス。標準化された工程と明確な保証期間、予備部品倉庫でダウンタイムを短縮します。

Y2O3コーティング

半導体・ディスプレイのドライエッチング装置部品向け表面コーティング。耐エッチング性・耐摩耗性により部品寿命を延ばし、交換コストを抑えます。

部品の精密洗浄

半導体部品の表面パーティクルと粗さを精密に管理し、ディスプレイPVDチャンバー部品の洗浄・運用サービスも提供します。

シール（Oリング）

6G・8.5G・10.5Gドライエッチング装置（APCバルブ・ICD・TEL・YAC）向けFFKMシールと、真空ポンプ向けVITON・FKM・FFKMシール。

半導体の主要顧客実績

中国の主要半導体顧客からリピート受注を獲得し、現地装置メーカー（OEM）とも協業しています。

顧客	プロセス	納入台数	最長稼働時間
SXX	Logic	400+	23,000h+
CXMT	DRAM	800+	17,000h+
HH Group	Logic	700+	12,000h+
YMTC	3D NAND	60+	12,000h+
HUAWEI	Logic + Memory + MEMS	800+	9,000h+
BYD	3GS + MEMS	500+	11,000h+

一部の顧客名は伏字（SXX、S**Cなど）で表記しています。

中国半導体ファブ導入実績

顧客・モジュール別の採用モデルと、現在までの最長稼働時間です。

S**C

412 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
CVD	GHC6000, GHC3000, GHC1800T	30,000+
CVD	GHC1800T	10,000+
ETCH	GHC1200	8,000+
ETCH	GMR1200	8,000+

C**T

836 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
ETCH	GMR1200	12,000+
ETCH	GMR1200	11,000+
ETCH	GMR1200	9,000+
ETCH	GHC3000T	9,000+
CVD	GHC1200T, GHC3000T	17,000+

P*T

837 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
Diff	GMR1200, GHC1800	5,000+
CVD	GMR1200, GHC1800, GLR120	7,000+
PVD	GMR1200, GHC1800, GMR600	9,000+
ETCH	GMR1200, GHC1800	8,000+

H* group

703 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
ETCH	GMR1200	12,000+
ETCH	GMR1200	8,000+
CVD	GHC3000T	8,000+

BYD

564 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
CVD	GMR600, GHC1800T	11,000+
PVD	GMR600, GHC1800T	9,000+
ETCH	GMR600, GMR1200, GHC1800T	10,000+
IMP	GMR1200	8,000+
LL	GLR120	10,000+

Nau**

304 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
CVD	GHC600, GHC1200, GHC1800	9,000+
PVD	GHC600, GHC1200, GHC1800	7,000+
ETCH	GHC600, GHC1800	8,000+
IMP	GMR600, GMR1200	6,000+

8インチファブ

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）	台数
CVD	GLR120, GHC1800T, GMR600, GHC1200T	9,000+	86
Etch	GLR120, GMR600, GHC1200	9,000+	42
IMP	GMR200, GMR1200	6,000+	18

Y**C

62 台

モジュール	採用モデル	最長稼働（h）
WN ALD	GHC5000T	6,000+
PECVD	GHC3000T, GHC1800T	8,000+
PECVD	GHC3000, GHC1800T	12,000+
PECVD	GMR1200	8,000+

GMRシリーズの省エネ

比較対象より消費電力最大50%削減

消費電力（kW）

600クラス

GMR

0.8

iXM

1.1

SGM

1.6

1200クラス

GMR

1.0

iXM

1.3

SGM

1.8

GMR600 vs SGM600A：−50%（−0.8 kW）
GMR1200 vs SGM1200A：−44%（−0.8 kW）

5年間のユーティリティコスト（円、2026年10月レート換算）

600クラス

GMR

12.3億円

iXM

18.9億円

SGM

24.7億円

1200クラス

GMR

17.8億円

iXM

21.0億円

SGM

34.8億円

GMR600 vs SGM600A：−50%（約12.3億円）
GMR1200 vs SGM1200A：−49%（約16.6億円）

試算条件：12インチ・生産能力10万枚のファブで、600クラス・1200クラスのMediumポンプ各1,000台を5年間運転、電力＋PCW＋N₂コストの合計。電力約23.6円/kWh、N₂ 約5.9円/m³、PCW 約11.8円/m³。

実際の削減効果はプロセス・運転条件により異なります。

製品特長

一貫性と安定性のためのハードウェア・ソフトウェア設計

ステーター・ローター一体設計

構造がシンプルで組立が容易、機械的安定性が非常に高く、温度制御も簡単です。

永久磁石同期モーター（PMSM）

従来のモーターより高効率・低炭素・高トルクで、誘導電流が発生しません。

標準産業用インバーター

幅広い互換性と高い運転安定性。

広い温度制御範囲

複雑なプロセス課題に対応します。

インテリジェント制御システム

HMI（ヒューマンマシンインターフェース）・CMSシステム・リアルタイムパラメーター

半導体向けドライポンプの課題

ハードウェアコスト

— CAPEX
— 設置面積
— フックアップ

運用コスト

— 計画外停止
— ウェハースクラップ
— 粉塵の逆流
— ランニングコスト

安全事故コスト

— 施設の一部または全体の避難
— 爆発などの安全事故

主要課題装置の安全性・信頼性の追求プロセス適用の安定性高い製品一貫性

プロセス課題別の対策

課題	代表プロセス	対策
残留プロセスガス・副生成物（気体）の凝縮	Metal Etch; LPCVD Nitride; Coater	ポンプ温度を上げる／ヒーティングジャケット／N₂流量を増やす
副生成物（固体）の堆積	PECVD Oxide; HARP; MOCVD	十分なN₂パージを維持／パウダートラップ／プラズマトラップ
残留プロセスガス・副生成物（気体）の熱分解	PEALD; WCVD	ポンプ内部のガス温度を下げる／ホットトラップ
未反応ガスのポンプ内部での化学反応	WN; HARP	ダイバートポンプの追加／反応ガス1種の事前除去／レシピタイミングの調整／ポンプ内部のガス温度を下げる
腐食性ガスとポンプ本体の反応（FeF₃生成）	HDP; Poly Etch	ポンプ本体温度を下げる／ニッケル合金／防食コーティング／N₂流量を増やす（腐食性ガス濃度の低減）

課題に応じて異なるドライポンプの機械設計が必要です。
ポンプの温度制御が中核要素です。
用途ごとに窒素パージ設定を最適化する必要があります。

PPACS®製品コンセプト

より高い性能・より低い消費エネルギー・より小さい設置面積・より低いコスト・より安全な運用

Performance Enhanced

安定性・信頼性・一貫性

Power Optimized

2030年までに真空システムのエネルギー消費を30〜50%削減

Area Compacted

2030年までに真空システムの設置面積を30〜50%削減

Cost Reduced

2030年までに真空システムの総所有コスト（TCO）を30〜50%削減

Safety Assured

多段階の安全システム保護、真空システム運転中の安全事故ゼロ

型番の読み方

用途

H：Harsh / H₂
M：Medium
L：Light

構造

C：クロー
R：ルーツ
S：スクリュー

排気速度クラス

120 · 200 · 500 m³/h
600 · 1,200 · 1,800 m³/h
3,000 · 4,500 · 6,000 · 7,000 m³/h

温度仕様

T：高温
Z：超高温
L：低温
（なし）：標準

耐食仕様

N：ニッケル合金
C：コーティング
（なし）：球状黒鉛鋳鉄（SG Iron）

例：GHC1800T = Harsh用途・クロー構造・1,800 m³/hクラス・高温仕様・球状黒鉛鋳鉄

半導体プロセス向けモデルカタログ

排気速度クラス別のモデルと他社相当モデル（参考）です。

用途	シリーズ	構造	速度クラス（m³/h）	Grand Hitekモデル	Edxx相当	Ebxx相当
Light	GLR	多段ルーツ	120	GLR120	IXL120N	EVS-20(P/N)
Light	GLR	多段ルーツ	600	GLR600	iXL600N	EVS-100(P/N)
Light	GLR	多段ルーツ	1,200	GLR1200	IXL1000N	EVS-200(P/N)
Medium	GMR	多段ルーツ	200	GMR200	IXM200	ESR20N
Medium	GMR	多段ルーツ	600	GMR600 / GMR600N	IXM600 / iXM600 XD	EV-X100N
Medium	GMR	多段ルーツ	1,200	GMR1200 / GMR1200N	IXM1200 / iXM1200 XD	EV-X200N
Medium	GMR	多段ルーツ	1,800	GMR1800 / GMR1800N	IXM1800 / iXM1800 XD	EV-X300N
Harsh	GHC	一体型クロー	200	GHC200	IXH200	EV-M20N / EST25N
Harsh	GHC	一体型クロー	500	GHC500	iXH500H	—
Harsh	GHC	一体型クロー	600	GHC600T	IXH610	EV-M102N / EST100WN
Harsh	GHC	一体型クロー	1,200	GHC1200 / GHC1200T	iXH1220H / iXH1220HTX	EV-M202N / EST200WN
Harsh	GHC	一体型クロー	1,800	GHC1800L / GHC1800T	iXH1820 / iXH1820HTX	EV-M302N / EST300WN
Harsh	GHC	一体型クロー	3,000	GHC3000T / GHC3000L	iXH3050HTX / iXH3050H SC	EV-M502N / EST500WN
Harsh	GHC	一体型クロー	4,500	GHC5000T / GHC5000Z	IXH4550HT / iXH4550HTXS	EV-M802N / EST800WN
Harsh	GHC	一体型クロー	6,000	GHC6000T / GHC6000L / GHC6000Z	IXH6050HT / iXH6050H SC / iXH6050HTXS	—
Harsh	GHC（ポンプセット）	一体型クロー	7,000	GHC3000T + GMB6000	iXH3050H + pXH6000	—
H₂	GHR	多段ルーツ	600	GHR600	iXH645H	ESA100WN

7,000 m³/hはGHC3000TとブースターGMB6000を組み合わせたポンプセットです。

認証・資格

SEMI認証

SEMI S2-0724SEMI S6-0618SEMI S8-0218SEMI F47-0706

北米・EU認証

ETLULCE

マネジメントシステム認証

ISO 9001:2015ISO 14001:2015ISO 45001:2018

企業資格・特許

国家級「専精特新『小巨人』」企業 — 有効期間 2024年7月〜2027年6月
ハイテク企業（高新技術企業）— GR202311004449、2023年11月
北京市「専精特新」中小企業 — 2024ZJTX1752、2024年10月〜2027年10月
北京市新技術・新製品 — XCP2023IC0015、真空ポンプ GS1800-1800C、2023年12月
発明特許 ZL 2023 1 0292694.X・ZL 2023 1 0338837.6 など、累計登録特許220件以上（2015年〜）

会社紹介

北京通嘉宏瑞科技股份有限公司（通嘉科技 / Grand Hitek）— 北京・亦庄本社。ドライ真空ポンプ装置およびシステム技術サービスのサプライヤーとして、半導体・太陽光・ディスプレイ・LED照明・リチウム電池などの産業に供給しています。

沿革

2026
- 北京・武漢・杭州の3拠点で用地を確保し増産
- 日本子会社・シンガポール子会社を設立
2025
- 中国本土の半導体シェアが15%に上昇
- 統合システム（一体機）・GHRシリーズを発売
- 半導体の全プロセスをカバー
- シリーズB+資金調達を完了
- 海外市場に初進出
2024
- GLRシリーズの開発・検証に成功
- 累計出荷30,000台以上（うち半導体2,000台以上）
- 新型ディスプレイ分野の国内シェアが65%を超過
2023
- GS・GMRなど複数シリーズを相次いで発売（太陽光・半導体プロセス）
- 太陽電池セル分野のシェアが50%を突破
- 北京・亦庄拠点を拡張稼働、月産2,000台を安定生産
2022
- GSシリーズの開発・検証に成功
- 新品ポンプの生産能力が月300台に到達
2021
- シリーズA資金調達を完了
- 半導体市場に正式参入
2020
- 小ロット検証に合格
2019
- GHCシリーズの検証に合格・小ロット出荷
- 華東地域で部品再生・真空ポンプ保守事業が加速
2018
- 複数のソフトウェア著作権を取得
- DP制御システムの開発に成功
- GHCシリーズの顧客デモ
2017
- GHC・MBシリーズの開発に成功
- 新型ディスプレイ・半導体の過酷プロセスに参入
2016
- 無錫生産拠点を設立
- 華中地域で真空ポンプ保守事業を拡大
- DPの顧客プロセスデモを開始
2015
- 主要部品の開発に成功し、自社開発を開始
2012
- 会社設立、貿易事業とブランド真空ポンプの保守サービスを開始

生産・R&D・サービス拠点

中国本土と日本・シンガポールに4大生産拠点・4大R&D拠点・7大運用サービスセンターを展開し、総工場面積は60,000㎡を超えます。

地域	役割	状況
北京（本社・亦庄）	経営本部（新キャンパス建設中）・R&D本部・販売プラットフォーム・新品ポンプ／スクラバー／チラーの生産・ポンプのオーバーホール	稼働中
河北・廊坊	生産・部品洗浄	稼働中
上海・閔行	統合装置（一体機）のR&D・生産・ブランドポンプのオーバーホール	稼働中
陝西・西安	分子ポンプのR&D・オーバーホール	稼働中
日本	技術センター（2026年子会社設立）	稼働中
シンガポール	ポンプのオーバーホール・販売プラットフォーム、シンガポール・マレーシア向け（2026年子会社設立）	稼働中
浙江・杭州	新品ポンプの生産	建設中
湖北・武漢	ポンプのオーバーホール・生産	建設中
四川・成都	ポンプのオーバーホール	建設中

R&D体制

R&Dチーム

— R&D人員100名以上（全従業員の16%）
— 博士・准教授クラス4名
— 深い業界知見と開発経験

3大R&D拠点

— 北京 — ドライポンプ
— 上海 — 統合装置
— 西安 — 分子ポンプ

技術プラットフォーム

— 真空原理に基づく合理的設計
— 試験技術プラットフォーム
— シミュレーションプラットフォーム
— 排気速度シミュレーション

IPD統合製品開発

— 市場ニーズに基づくイノベーション
— 明確な製品ロードマップ
— 安定した製品性能の確保
— 開発期間の短縮・製品投入の加速

4-in-1 一貫R&D体制

— 自社独自のR&D
— 大学との共同研究
— 精密デジタル・インテリジェント加工
— 専門的な試験・分析

よくある質問

Grand Hitek（通嘉科技）のドライ真空ポンプは韓国でどこから購入できますか？+

OHI TechがGrand Hitek（北京通嘉宏瑞科技股份有限公司）の韓国公式パートナーです。ドライポンプ・真空統合システム・分子ポンプのモデル選定とお見積りのご相談をOHI Techで承ります。

ドライポンプの各シリーズの違いは何ですか？+

GLR（GLR-Pを含む）はクリーン・一般プロセス向け多段ルーツ（110〜4,500 m³/h）、GMRはエッチング・イオン注入チャンバー向け多段ルーツ（210〜1,800 m³/h）、GHCは粉塵処理能力に優れた過酷プロセス向け一体型クロー（220〜5,500 m³/h）、GSは太陽光などで使われる新型一体型クロー（1,800〜5,500 m³/h）、GHRは高流量水素（H₂）プロセス向け多段ルーツ（600〜650 m³/h）です。括弧内は最大排気速度です。

半導体以外にどのような産業で使われていますか？+

ディスプレイ（PECVD・EtchにはGHC、PVD・LL/TC・蒸着・Lami貼合にはGLR、Coater PHOTOにはGLR-P）、太陽光（結晶引上げにはGS-S、セルのPECVD・LPCVD・ALDにはGS、モジュールのラミネーションにはGLR-P）、リチウム電池（真空乾燥・脱気・組立・EOL検査などにGLR全ラインアップ）、LED・産業用真空で使われています。新型ディスプレイ分野の中国国内シェアは65%超（2024年）、太陽電池セル分野のシェアは50%超（2023年）です。

半導体プロセスごとにどのシリーズを選べばよいですか？+

Load Lock・Transfer・PVD・CoaterにはGLR、IMP Source・Strip/Ashing・Oxide/Poly Etch・HDPにはGMR、ALD・PECVD・LPCVD・SACVD・MOCVD・Metal EtchにはGHC、高流量H₂を使うMOCVD・Si EPI・SiC EPI・HJTにはGHRが推奨されています。6・8インチファブのMetal EtchにはGMRも推奨されています。

型番（例：GHC1800T）はどう読みますか？+

命名規則では、Gの次の文字が用途（H：Harsh/H₂、M：Medium、L：Light）、その次が構造（C：クロー、R：ルーツ、S：スクリュー）、数字が排気速度クラス（m³/h）です。末尾の文字は温度仕様（T：高温、Z：超高温、L：低温、なし：標準）と耐食仕様（N：ニッケル合金、C：コーティング、なし：球状黒鉛鋳鉄）を表します。GHC1800TはHarsh用クローポンプ、1,800 m³/hクラス、高温仕様です。

どのような認証・資格を取得していますか？+

製品はSEMI S2-0724・S6-0618・S8-0218・F47-0706、ETL・UL・CE、ISO 9001:2015・ISO 14001:2015・ISO 45001:2018を取得しています。会社は国家級「専精特新『小巨人』」企業、ハイテク企業に認定されており、2015年以降の累計登録特許は220件以上です。

GMRシリーズの省エネ効果はどの程度ですか？+

消費電力はGMR600が0.8 kW、GMR1200が1.0 kWで、比較対象のSGM600A・SGM1200Aよりそれぞれ50%・44%（0.8 kW）低くなっています。600クラス・1200クラス各1,000台を5年間運転する前提で、電力・PCW・N₂コストはそれぞれ約50%・49%低く試算されています。実際の削減効果はプロセス・運転条件により異なります。

実際の半導体ファブでの採用実績はありますか？+

中国の主要半導体顧客からリピート受注を獲得しています。例としてCXMT（DRAM）に800台以上、HH Group（Logic）に700台以上、BYDに500台以上が納入され、顧客ごとの最長稼働時間は9,000〜23,000時間以上です。2024年に累計出荷30,000台（うち半導体2,000台以上）を突破し、2025年の中国本土半導体シェアは15%です。

ドライポンプ以外にどのような製品・サービスがありますか？+

真空統合システム5種（Mizar・Megrez・Merak・Alioth・Phecda）、GTP分子ポンプ（磁気浮上GTP-M、グリース潤滑GTP-G/L、計測機器用GTP-H）、さらに真空ポンプのメンテナンス、Y2O3コーティング、部品の精密洗浄、シール製品を提供しています。

Grand Hitek真空ポンプのお問い合わせ

適用プロセス、必要な排気速度、プロセスガス条件をお知らせいただければ、OHI Techが最適なモデル選定とお見積りをサポートします。

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