반도체 장비 부품, EV 충전, 열관리, 레이저 정밀 장비까지 검증된 파트너사의 최고 품질 제품을 한곳에서 만나보세요
Grand Hitek · 通嘉科技 — 한국 공식 파트너 OHI Tech
Grand Hitek(通嘉科技, 北京通嘉宏瑞科技股份有限公司)은 2012년 중국 베이징에서 설립된 진공 장비 기업입니다. 드라이 진공 펌프와 시스템 통합 솔루션을 중심으로 R&D·생산·서비스를 일원화하고, 독자적인 PPACS® 제품 컨셉으로 드라이 펌프 전 라인업과 정밀 핵심 부품을 자체 개발합니다. 제품은 반도체·태양광·2차전지·디스플레이·LED·산업용 진공 등에 폭넓게 쓰이며, 진공 코팅·식각·이온주입 같은 웨이퍼급 고급 공정에도 대응합니다. OHI Tech는 Grand Hitek의 한국 공식 파트너로서 공정 조건에 맞는 모델 선정과 견적을 지원합니다.
Grand Hitek 드라이 진공 펌프는 반도체뿐 아니라 디스플레이·태양광·2차전지·LED·산업용 진공에도 쓰입니다.
적용 공정
권장 시리즈
공정별 과제(응축·부식·분진·열반응·가연성 가스)는 아래 «공정별 권장 시리즈» 표를 참고하세요.
공정별 선정 ↓
적용 공정
권장 시리즈
디스플레이 Dry Etch 장비용 Y2O3 코팅·부품 정밀 세정·실링(6G·8.5G·10.5G)도 공급합니다.
적용 공정
권장 시리즈
GS 시리즈는 클린·일반·가혹 공정에 쓰이며 신뢰성이 높고 운전 비용이 매우 낮습니다.
적용 공정
권장 시리즈
* 진공을 쓰는 공정
권장 시리즈
제품은 산업용 진공 분야에도 쓰입니다.
분자 펌프 ↓아래 버튼으로 산업별로 쓰이는 시리즈와 적용 공정을 볼 수 있습니다.
5개 시리즈
클린·일반 공정용 다단 루츠 드라이 펌프입니다. 신뢰성이 높고 운전 비용이 매우 낮습니다.
권장 공정 (반도체)
클린·일반 공정용 다단 루츠 드라이 펌프로, 주로 반도체 식각(Etch)·이온주입(IMP) 공정 챔버에 쓰입니다. 저전력·내부식·작은 설치 면적이 특징입니다.
권장 공정 (반도체)
클린·일반·가혹 공정 모두에 쓰는 신형 일체형 클로 드라이 펌프입니다. 분진 처리 능력이 매우 강해 가혹 공정의 우선 선택지이며, 운전 비용이 매우 낮습니다.
권장 공정 (반도체)
클린·일반·가혹 공정에 쓰는 신형 일체형 클로 드라이 펌프입니다. 신뢰성이 높고 운전 비용이 매우 낮습니다.
권장 공정 (반도체)
고유량 수소(H₂) 적용을 위해 개발된 다단 루츠 드라이 펌프입니다. 중간·가혹 공정용으로 배기 능력이 강하고 신뢰성이 높습니다.
권장 공정 (반도체)
산업을 고르면 해당 분야의 공정별 권장 시리즈가 표시됩니다.
| 공정 | 권장 | 응축 | 부식 | 분진 | 열반응 | 가연성 가스 | 고유량 H₂ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Load Lock | GLR | ||||||
| Transfer | GLR | ||||||
| PVD | GLR | ||||||
| Coater | GLR | ● | |||||
| IMP Source | GMR | ● | |||||
| Strip/Ashing | GMR | ||||||
| Oxide Etch | GMR | ● | |||||
| Poly Etch | GMR | ● | |||||
| Metal Etch(6·8") | GMR | ● | ● | ||||
| HDP | GMR | ● | |||||
| ALD | GHC | ● | ● | ● | ● | ● | |
| PECVD | GHC | ● | ● | ● | ● | ||
| LPCVD | GHC | ● | ● | ● | ● | ||
| SACVD | GHC | ● | ● | ● | ● | ||
| MOCVD | GHC | ● | ● | ● | |||
| Metal Etch | GHC | ● | ● | ||||
| MOCVD | GHR | ● | |||||
| Si EPI | GHR | ● | |||||
| SiC EPI | GHR | ● | |||||
| HJT | GHR | ● |
● = 해당 공정의 주요 과제 · GMR의 Metal Etch 권장은 6·8인치 팹용입니다.
| 공정 | 부산물 · 과제 | 대응 | 추천 모델 |
|---|---|---|---|
| Oxide Etch | 경·중 폴리머 | 저위험 | GMR600/1200 |
| Poly Etch | 중·고 폴리머, 부식성 가스 | 온도 제어 + 니켈합금 소재 | GMR600/1200 (N) |
| Metal Etch | AlCl₃ 응축 | 중온 운전 · 응축 방지 | GMR600/1200/1800 |
| HDP-CVD | 부식 | 저온 운전 · 내부식 | GMR1200/1800 (N) |
| Strip/Ashing | 중 폴리머 | 중온 운전 · 응축 방지 | GMR1800 |
| IMP | 중 폴리머 | 중온 운전 · 응축 방지 | GMR200 |
| 공정 | 권장 | 응축 | 부식 | 분진 | 가연성 가스 | 잦은 펌핑 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PECVD SiN | GHC | ● | ● | ● | ||
| PECVD SiON | GHC | ● | ● | ● | ● | |
| PECVD SiO₂ | GHC | ● | ● | ● | ||
| Metal Etch | GHC | ● | ● | |||
| Non-Metal Etch | GHC | ● | ||||
| PVD | GLR | ● | ||||
| LL/TC | GLR | ● | ||||
| 증착(Evaporation) | GLR | ● | ||||
| Lami 합착 | GLR | ● | ||||
| Coater PHOTO | GLR-P | ● |
● = 해당 공정의 주요 과제
디스플레이 Dry Etch 장비용 Y2O3 코팅·부품 정밀 세정·실링(6G·8.5G·10.5G)도 공급합니다.
| 공정 | 권장 | 응축 | 열분해 | 분진 | 고유량 H₂ |
|---|---|---|---|---|---|
| 잉곳 성장 | GS-S | ● | |||
| 셀 PECVD | GS | ● | |||
| 셀 ALD | GS | ● | ● | ||
| 셀 LPCVD | GS | ● | |||
| 모듈 라미네이션 | GLR-P | ● | |||
| HJT | GHR | ● |
● = 해당 공정의 주요 과제
GS 시리즈는 클린·일반·가혹 공정에 쓰이며 신뢰성이 높고 운전 비용이 매우 낮습니다.
| 공정 | 권장 | 분진 | 수분 | 용매 | 비고 |
|---|---|---|---|---|---|
| 슬러리 혼합* | GLR | ● | ● | ● | ① 극판 제조 |
| 진공 건조* | GLR | ● | ● | ● | ① 극판 제조 |
| 적층 | GLR | ● | ● | ② 셀 조립 | |
| 조립* | GLR | ● | ● | ② 셀 조립 | |
| 전해액 주입 | GLR | ● | ● | ② 셀 조립 | |
| 탈기* | GLR | ● | ● | ● | ③ 후공정 |
| EOL 검사* | GLR | ● | ● | ● | ③ 후공정 |
● = 해당 공정의 주요 과제
* 진공을 쓰는 공정
| 적용 분야 | 권장 | 비고 |
|---|---|---|
| LED | GLR | FPD·LED 등 다양한 시장 |
| MOCVD (고유량 H₂) | GHR | 반도체·LED·태양광 |
| 식각·금속 증착·실리콘 에피·PVD·CVD·SiC 결정 성장 장비 | GTP-M | 자기부상 분자 펌프 |
| 태양광 제조·ITO 유리·LCD·환경 시뮬레이션 | GTP-G1400 · G2400 | 그리스 윤활 분자 펌프, 임의 각도 설치 |
| 범반도체 장비·광학 코팅·경질 코팅 | GTP-G800 | 그리스 윤활 분자 펌프 |
| 광학 코팅·진공로·진공 소결·환경 시뮬레이션 | GTP-L4400 | 분진 함유 가스 배기 가능 |
| 과학기기·리크 디텍터·질량분석·주사전자현미경 | GTP-G300 | 저진동·저소음 |
| 질량분석·미량 원소 분석·전자현미경 | GTP-H80 | 계측기용 소형 분자 펌프 |
| 리크 검사·환경 모니터링·과학 분석 | GTP-H80D | 다중 흡기구 분류형 |
제품은 산업용 진공 분야에도 쓰입니다.
펌프·부스터·배기가스 처리 장치 등을 하나로 묶은 통합 시스템(一体机) 5종입니다.
기계식 부스터–기계식 부스터–드라이 펌프 구조의 적층형 통합 펌프 시스템. 클린·일반·가혹 공정에 쓰이며 신뢰성이 높고 운전 비용이 낮습니다.
WN과 HARP·PE-TEOS 등 SiO₂ 분진이 많은 공정용 플라즈마 통합 시스템. 플라즈마 발생기와 진공 펌프를 하나로 묶어 드라이 펌프 수명을 안전하게 늘립니다.
진공 펌프·칠러 등을 모듈 단위로 넣고 빼는 2단(Dual-Deck) 다중 펌프 시스템. 반도체 Etch·PVD 등에서 훅업 비용과 Facility 연결점을 줄이고 설치 시간을 단축합니다.
진공 펌프와 배기가스 처리(Abatement)를 통합한 다중 펌프 시스템. 공정 안전성과 운전 안정성을 높이고 TCO·훅업 비용·설치 면적·설치 시간을 줄입니다.
훅업 비용 70%↓ · Facility 연결점 85%↓ · 설치 면적 20%↓ · 설치 시간 80%↓ · SEMI S2/S6/F47 인증
Diffusion·EPI·MOCVD 등을 위한 단일 펌프 통합 시스템(드라이 펌프 + 배기가스 처리). 안전·신뢰성·안정 운전·예지 보전·작은 설치 면적이 특징입니다.
표시된 배기속도는 N₂ 값입니다.
N₂ 1,850 – 4,300 L/s
GTP-M2201 · GTP-M3400 · GTP-M4500
비접촉·무마찰·무윤활·무보수 자기 베어링과 5자유도 능동 제어로 어느 방향으로든 설치할 수 있습니다. 식각기·금속 증착·실리콘 에피·PVD·CVD·SiC 결정 성장 장비에 쓰입니다.
N₂ 300 – 4,200 L/s
GTP-G300 · G800 · G1400 · G2400 · GTP-L4400
장수명·에너지 절감형 분자 펌프(G 시리즈는 임의 각도 설치). 태양광·ITO 유리·LCD·광학/경질 코팅·진공로·과학기기 등에 쓰입니다.
N₂ 90 L/s
GTP-H80 · GTP-H80D
질량분석기 등 고급 계측기용 소형 고진공 펌프입니다. H80D는 흡기구가 여러 개인 분류형으로, 한 대로 2~3대 효과를 내며 리크 디텍터 등에 쓰입니다.
분자 펌프 전용 전원(IGBT 기반 CNC 전원)도 공급합니다.
국내 제공 범위는 문의 시 안내해 드립니다.
주요 브랜드 드라이 진공 펌프의 고장 진단, 오버홀·재제조, 예방 정비, 현장 서비스. 표준화된 공정과 품질 보증 기간, 예비 부품 창고로 정지 시간을 줄입니다.
반도체·디스플레이 Dry Etch 장비 부품의 표면 코팅. 내식각·내마모성으로 부품 수명을 늘리고 교체 비용을 줄입니다.
반도체 부품의 표면 파티클과 거칠기를 정밀 관리하고, 디스플레이 PVD 챔버 부품의 세정·운영 서비스를 제공합니다.
6G·8.5G·10.5G Dry Etch 장비(APC 밸브·ICD·TEL·YAC)용 FFKM 실링과 진공 펌프용 VITON·FKM·FFKM 실링.
중국 주요 반도체 고객사로부터 재주문을 받았으며, 현지 장비사(OEM)와 협업하고 있습니다.
| 고객사 | 공정 | 공급 대수 | 최장 가동시간 |
|---|---|---|---|
| SXX | Logic | 400+ | 23,000h+ |
| CXMT | DRAM | 800+ | 17,000h+ |
| HH Group | Logic | 700+ | 12,000h+ |
| YMTC | 3D NAND | 60+ | 12,000h+ |
| HUAWEI | Logic + Memory + MEMS | 800+ | 9,000h+ |
| BYD | 3GS + MEMS | 500+ | 11,000h+ |
일부 고객사명은 마스킹(SXX, S**C 등)해 표기했습니다.
고객사·모듈별 적용 모델과 현재까지 최장 가동시간입니다.
S**C
412 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| CVD | GHC6000, GHC3000, GHC1800T | 30,000+ |
| CVD | GHC1800T | 10,000+ |
| ETCH | GHC1200 | 8,000+ |
| ETCH | GMR1200 | 8,000+ |
C**T
836 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| ETCH | GMR1200 | 12,000+ |
| ETCH | GMR1200 | 11,000+ |
| ETCH | GMR1200 | 9,000+ |
| ETCH | GHC3000T | 9,000+ |
| CVD | GHC1200T, GHC3000T | 17,000+ |
P*T
837 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| Diff | GMR1200, GHC1800 | 5,000+ |
| CVD | GMR1200, GHC1800, GLR120 | 7,000+ |
| PVD | GMR1200, GHC1800, GMR600 | 9,000+ |
| ETCH | GMR1200, GHC1800 | 8,000+ |
H* group
703 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| ETCH | GMR1200 | 12,000+ |
| ETCH | GMR1200 | 8,000+ |
| CVD | GHC3000T | 8,000+ |
BYD
564 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| CVD | GMR600, GHC1800T | 11,000+ |
| PVD | GMR600, GHC1800T | 9,000+ |
| ETCH | GMR600, GMR1200, GHC1800T | 10,000+ |
| IMP | GMR1200 | 8,000+ |
| LL | GLR120 | 10,000+ |
Nau**
304 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| CVD | GHC600, GHC1200, GHC1800 | 9,000+ |
| PVD | GHC600, GHC1200, GHC1800 | 7,000+ |
| ETCH | GHC600, GHC1800 | 8,000+ |
| IMP | GMR600, GMR1200 | 6,000+ |
8인치 팹
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) | 대수 |
|---|---|---|---|
| CVD | GLR120, GHC1800T, GMR600, GHC1200T | 9,000+ | 86 |
| Etch | GLR120, GMR600, GHC1200 | 9,000+ | 42 |
| IMP | GMR200, GMR1200 | 6,000+ | 18 |
Y**C
62 대
| 모듈 | 적용 모델 | 최장 가동(h) |
|---|---|---|
| WN ALD | GHC5000T | 6,000+ |
| PECVD | GHC3000T, GHC1800T | 8,000+ |
| PECVD | GHC3000, GHC1800T | 12,000+ |
| PECVD | GMR1200 | 8,000+ |
비교 대상 대비 소비전력 최대 50% 절감
600급
1200급
600급
1200급
산출 조건: 12인치 웨이퍼 10만 장 생산능력 팹에서 600급·1200급 중부하(Medium) 펌프 각 1,000대를 5년간 운전, 전력+PCW+N₂ 비용 합산. 전력 약 199원/kWh, N₂ 약 50원/m³, PCW 약 99원/m³.
실제 절감 효과는 공정·운전 조건에 따라 다릅니다.
일관성과 안정성을 위한 하드웨어 · 소프트웨어 설계
구조가 단순하고 조립이 쉬우며, 기계적 안정성이 매우 높고 온도 제어가 간단합니다.
기존 모터보다 에너지 효율이 높고 저탄소이며 토크가 큽니다. 유도전류가 발생하지 않습니다.
호환성이 넓고 운전 안정성이 높습니다.
복잡한 공정 난제에 대응합니다.
HMI(사용자 인터페이스) · CMS 시스템 · 실시간 파라미터
하드웨어 비용
운영 비용
안전사고 비용
| 난제 | 대표 공정 | 대응 방안 |
|---|---|---|
| 잔류 공정가스·부산물(기체) 응축 | Metal Etch; LPCVD Nitride; Coater | 펌프 온도 상향 / 히팅 재킷 / N₂ 유량 증가 |
| 부산물(고체) 퇴적 | PECVD Oxide; HARP; MOCVD | 충분한 N₂ 퍼지 유지 / 파우더 트랩 / 플라즈마 트랩 |
| 잔류 공정가스·부산물(기체) 열분해 | PEALD; WCVD | 펌프 내부 가스 온도 하향 / 핫 트랩 |
| 미반응 가스의 펌프 내부 화학반응 | WN; HARP | 다이버트 펌프 추가 / 반응가스 1종 사전 제거 / 레시피 타이밍 조정 / 펌프 내부 가스 온도 하향 |
| 부식성 가스와 펌프 본체 반응(FeF₃ 생성) | HDP; Poly Etch | 펌프 본체 온도 하향 / 니켈합금 / 내부식 코팅 / N₂ 유량 증가(부식성 가스 농도 저감) |
더 나은 성능 · 더 낮은 에너지 · 더 작은 설치 면적 · 더 낮은 비용 · 더 안전한 운전
Performance Enhanced
안정성 · 신뢰성 · 일관성
Power Optimized
2030년까지 진공 시스템 에너지 소비 30~50% 절감
Area Compacted
2030년까지 진공 시스템 설치 면적 30~50% 축소
Cost Reduced
2030년까지 진공 시스템 총소유비용(TCO) 30~50% 절감
Safety Assured
다단계 안전 시스템 보호, 진공 시스템 운전 중 안전사고 제로
1
적용 공정
2
구조
3
배기속도 등급
4
온도 사양
5
내식 사양
예) GHC1800T = Harsh 공정 · 클로 구조 · 1,800 m³/h급 · 고온 사양 · 구상흑연주철
속도 등급별 모델과 타사 대응 모델(참고)입니다.
| 적용 | 시리즈 | 구조 | 속도 등급 (m³/h) | Grand Hitek 모델 | Edxx 대응 | Ebxx 대응 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Light | GLR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 120 | GLR120 | IXL120N | EVS-20(P/N) |
| Light | GLR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 600 | GLR600 | iXL600N | EVS-100(P/N) |
| Light | GLR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 1,200 | GLR1200 | IXL1000N | EVS-200(P/N) |
| Medium | GMR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 200 | GMR200 | IXM200 | ESR20N |
| Medium | GMR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 600 | GMR600 / GMR600N | IXM600 / iXM600 XD | EV-X100N |
| Medium | GMR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 1,200 | GMR1200 / GMR1200N | IXM1200 / iXM1200 XD | EV-X200N |
| Medium | GMR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 1,800 | GMR1800 / GMR1800N | IXM1800 / iXM1800 XD | EV-X300N |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 200 | GHC200 | IXH200 | EV-M20N / EST25N |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 500 | GHC500 | iXH500H | — |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 600 | GHC600T | IXH610 | EV-M102N / EST100WN |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 1,200 | GHC1200 / GHC1200T | iXH1220H / iXH1220HTX | EV-M202N / EST200WN |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 1,800 | GHC1800L / GHC1800T | iXH1820 / iXH1820HTX | EV-M302N / EST300WN |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 3,000 | GHC3000T / GHC3000L | iXH3050HTX / iXH3050H SC | EV-M502N / EST500WN |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 4,500 | GHC5000T / GHC5000Z | IXH4550HT / iXH4550HTXS | EV-M802N / EST800WN |
| Harsh | GHC | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 6,000 | GHC6000T / GHC6000L / GHC6000Z | IXH6050HT / iXH6050H SC / iXH6050HTXS | — |
| Harsh | GHC (펌프 세트) | 일체형 클로 (Integrated Claw) | 7,000 | GHC3000T + GMB6000 | iXH3050H + pXH6000 | — |
| H₂ | GHR | 다단 루츠 (Multistage Roots) | 600 | GHR600 | iXH645H | ESA100WN |
7,000 m³/h는 GHC3000T와 부스터 GMB6000을 조합한 펌프 세트입니다.
SEMI 인증
북미 · EU 인증
시스템 인증
北京通嘉宏瑞科技股份有限公司 (通嘉科技 / Grand Hitek) — 베이징 이좡 본사. 드라이 진공 펌프 장비·시스템 기술 서비스 공급사로, 반도체·태양광·디스플레이·LED 조명·2차전지 등 산업에 공급합니다.
중국 본토와 일본·싱가포르에 4대 생산기지·4대 R&D 기지·7대 운영·서비스 센터를 두고 있으며, 총 공장 면적은 60,000㎡ 이상입니다.
| 지역 | 역할 | 상태 |
|---|---|---|
| 베이징 (본사, 이좡) | 경영 본부(신규 캠퍼스 건설 중) · R&D 본부 · 판매 플랫폼 · 신규 펌프·스크러버·칠러 생산 · 펌프 오버홀 | 운영 |
| 허베이 랑팡 | 생산 · 부품 세정 | 운영 |
| 상하이 민항 | 통합 장비(一体机) R&D·생산 · 브랜드 펌프 오버홀 | 운영 |
| 산시 시안 | 분자 펌프 R&D · 오버홀 | 운영 |
| 일본 | 기술센터 (2026 자회사 설립) | 운영 |
| 싱가포르 | 펌프 오버홀 · 판매 플랫폼, 싱가포르·말레이시아 대상 (2026 자회사 설립) | 운영 |
| 저장 항저우 | 신규 펌프 생산 | 건설 중 |
| 후베이 우한 | 펌프 오버홀 · 생산 | 건설 중 |
| 쓰촨 청두 | 펌프 오버홀 | 건설 중 |
R&D 인력
3대 R&D 거점
기술 플랫폼
IPD 통합 제품 개발
4-in-1 R&D 체계
OHI Tech가 Grand Hitek(北京通嘉宏瑞科技股份有限公司)의 한국 공식 파트너입니다. 드라이 펌프·통합 진공 시스템·분자 펌프의 모델 선정과 견적 문의를 OHI Tech에서 받습니다.
GLR(GLR-P 포함)은 클린·일반 공정용 다단 루츠(110~4,500 m³/h), GMR은 식각·이온주입 공정 챔버용 다단 루츠(210~1,800 m³/h), GHC는 분진에 강한 가혹 공정용 일체형 클로(220~5,500 m³/h), GS는 태양광 등에 쓰이는 신형 일체형 클로(1,800~5,500 m³/h), GHR은 고유량 수소(H₂) 공정용 다단 루츠(600~650 m³/h)입니다. 괄호 안 수치는 최대 배기속도입니다.
디스플레이(PECVD·Etch는 GHC, PVD·LL/TC·증착·Lami 합착은 GLR, Coater PHOTO는 GLR-P), 태양광(잉곳 성장은 GS-S, 셀 PECVD·LPCVD·ALD는 GS, 모듈 라미네이션은 GLR-P), 2차전지(진공 건조·탈기·조립·EOL 검사 등에 GLR 전 라인업), LED·산업용 진공에 쓰입니다. 디스플레이 분야 중국 내 점유율은 65%(2024), 태양광 셀 분야 점유율은 50%(2023)를 넘었습니다.
Load Lock·Transfer·PVD·Coater는 GLR, IMP Source·Strip/Ashing·Oxide/Poly Etch·HDP는 GMR, ALD·PECVD·LPCVD·SACVD·MOCVD·Metal Etch는 GHC, 고유량 H₂를 쓰는 MOCVD·Si EPI·SiC EPI·HJT는 GHR을 권장합니다. Metal Etch는 6·8인치 팹에서 GMR도 권장됩니다.
명명 규칙상 G 다음 글자가 적용 공정(H: Harsh/H₂, M: Medium, L: Light), 그다음 글자가 구조(C: 클로, R: 루츠, S: 스크류), 숫자가 배기속도 등급(m³/h)입니다. 끝 글자는 온도 사양(T: 고온, Z: 초고온, L: 저온, 없음: 표준)과 내식 사양(N: 니켈합금, C: 코팅, 없음: 구상흑연주철)입니다. GHC1800T는 Harsh 공정용 클로 펌프, 1,800 m³/h급, 고온 사양입니다.
제품은 SEMI S2-0724·S6-0618·S8-0218·F47-0706, ETL·UL·CE, ISO 9001:2015·ISO 14001:2015·ISO 45001:2018 인증을 보유하고 있습니다. 회사는 국가급 전정특신 '작은 거인(小巨人)' 기업, 고신기술기업으로 지정됐으며 2015년 이후 누적 등록 특허는 220건 이상입니다.
소비전력은 GMR600 0.8 kW, GMR1200 1.0 kW로, 비교 대상 SGM600A·SGM1200A보다 각각 50%·44%(0.8 kW) 낮습니다. 600급·1200급 펌프 각 1,000대를 5년간 운전한다는 가정에서 전력·PCW·N₂ 비용은 각각 약 50%·49% 낮게 산출됐습니다. 실제 절감 효과는 공정·운전 조건에 따라 다릅니다.
중국 주요 반도체 고객사로부터 재주문을 받았습니다. 예를 들어 CXMT(DRAM)에 800대 이상, HH Group(Logic)에 700대 이상, BYD에 500대 이상이 공급됐고, 고객사별 최장 가동시간은 9,000~23,000시간 이상입니다. 2024년 누적 출하는 30,000대를 넘었고(반도체 2,000대 이상), 2025년 중국 본토 반도체 점유율은 15%입니다.
통합 진공 시스템 5종(Mizar·Megrez·Merak·Alioth·Phecda), GTP 분자 펌프(자기부상 GTP-M, 그리스 윤활 GTP-G·L, 계측기용 GTP-H), 그리고 진공 펌프 유지보수, Y2O3 코팅, 부품 정밀 세정, 실링 제품을 공급합니다.
